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为了提高传输效率并且无畸变地变换光电信号，就要使相互连接的各器件都处于较佳的工作状态，所以光电探测器要与被测信号、光学系统以及后续的电子线路在特性和工作参数上相匹配。

探测率d

探测率d定义为nep的倒数，这样d越大表明探测器的灵敏度越高。它表示单位入射辐射功率所产生的信噪比，当然，d值越大，表示器件的探测性能越好。 任何探测器都有噪声，比噪声起伏平均值更小的信号实际上检测不出来。产生如噪声那样大的信号所需的辐射功率，称为探测器能探测的较小辐射功率，或称等效噪声功率。有时用探测率描述探测器的灵敏度。

除此之外，还有一些重要的指标，如反映探测器噪声电平的暗电流id，探测器的接收截面ad（会影响灵敏度和时间响应），探测器随温度的变化特性，半导体光电探测器的结电容（决定了时间响应），以及较大反偏电压、光照功率允许范围等，在使用时都必须注意的。

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光电探测器的发展历史

60年代初，中远红外波段灵敏的ge、si掺杂光电导探测器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的ge：au(锗掺金)和ge：hg光电导探测器。60年代末以后，h-te、pbsnte等可变禁带宽度的三元系材料的研究取得进展。工作原理和特性光电导效应是内光电效应的一种。

当照射的光子能量hv等于或大于半导体的禁带宽度eg时，光子能够将价带中的电子激发到导带，从而产生导电的电子、空穴对，这就是本征光电导效应。这里h是普朗克常数，v是光子频率，eg是材料的禁带宽度(单位为电子伏)。因此，本征光电导体的响应长波限λc为λc=hc/eg=1。24/eg(μm)式中c为-。本征光电导材料的长波限受禁带宽度的-。

在60年代初以前还没有研制出适用的窄禁带宽度的半导体材料，因而人们利用非本征光电导效应。ge、si等材料的禁带中存在各种-的杂质能级，照射的光子能量只要等于或大于杂质能级的离化能，就能够产生光生自由电子或自由空穴。非本征光电导体的响应长波限λ由下式求得λc=1。24/ei式中ei代表杂质能级的离化能。

到60年代中后期，hg1-xcdxte、pbxsn1-xte、pbxsn1-xse等三元系半导体材料研制成功，并进入实用阶段。它们的禁带宽度随组分x值而改变，例如x=0。2的hg0。8cd0。2te材料，可以制成响应波长为8～14微米-窗口的红外探测器。