外加正向电压时,塑料外壳金属膜电容,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不-克服pn结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后,pn结内电场被克服,轴向金属膜电容,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,抗高压金属膜电容,这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值,内电场很快被削弱,特性电流迅速增长,二极管正向导通。
叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为0.5v,锗管约为0.1v。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8v,锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3v。
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