相位条件:ωl=1/ωcl(ω 晶体频率, l 晶体有效电感,cl 晶体负载电容),调整负载电容可以调整频率高低,工业级晶振厂商,实现频率-度高;振幅条件:│rˉ│***r(设计电路要考虑负性阻抗值 rˉ的相对值,在起动时要比晶体谐振电阻有效值 r 大3-20 倍,正常振荡时│rˉ│=r)。
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压控振荡器被广泛应用在以下范围:
1、讯号产生器。
2、电子音乐中用来制造变调。
3、锁相回路。
4、通讯设备中的频率合成器。
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理想的 koan 压控晶振,其振荡频率与变容二极管的反向电压之间的关系应该是线性的。当控制电压变化时,工业级晶振,此线-应不被破坏,但若振荡器设计不合理时,其压控特性变得复杂起来而不再保持一种线-。为了-晶振频率稳定度,需减小叠加到变容二极管上的高频电压,稳定叠加到变容二极管偏压上的高频电压,改进变容二极管偏压与频率特性的线性和对称性。
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