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晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,大芯片快恢复二极管生产厂家,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流i0。当外加的反向电压高到一定程度时,大芯片快恢复二极管台产芯片,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,湘潭大芯片快恢复二极管,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。p-n结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
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快恢复二极管外加反向电压超过某一数值时,反向电流会突然增大,这种现象称为电而击穿。引起电而击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电作为击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电而击穿而引起过热,则单向导电性不一定会被永而久之破坏,在撤除外加电压后,其性能仍可恢复,否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。
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