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pcvd与传统cvd技术的区别在于等离子体含有大量的高能量电子，这些电子可以提供化学气相沉积过程中所需要的激发能，气相化学沉积设备价格，从而改变了反应体系的能量供给方式。由于等离子体中的电子温度-10000k，电子与气相分子的碰撞可以促进反应气体分子的化学键断裂和重新组合，生成活性更高的化学基团，气相化学沉积设备，同时整个反应体系却保持较低的温度。这一特点使得原来需要在高温下进行的cvd过程得以在低温下进行。
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化学气相沉积技术是应用气态物质在固体上产生化学反应和传输反应等并产生固态沉积物的一种工艺，它大致包含三步：
（1）形成挥发性物质 ；
（2）把上述物质转移至沉积区域 ；
（3）在固体上产生化学反应并产生固态物质 。基本的化学气相沉积反应包括热分解反应、化学合成反应以及化学传输反应等集中。
生产晶须：
晶须属于一种以为发育的单晶体，它在符合材料范畴中有着很大的作用，能够用于生产一些新型复合材料。 化学气相沉积法在生产晶须时使用的是金属卤化物的氢还原性质。化学气相沉积法不但能制备出各类金属晶须，同时也能生产出化合物晶须，比如氧化铝、金刚砂、碳化钛晶须等等。
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