光刻是将图形由掩膜版上转移到硅片上，为后续的刻蚀步骤作准备。在光刻过程中，需在硅片上涂一层光刻胶，经紫外线-后，光刻胶的化学性质发生变化，在通过显-，被-的光刻胶将被去除，nr7 6000py光刻胶厂家，从而实现将电路图形由掩膜版转移到光刻胶上。再经过刻蚀过程，实现电路图形由光刻胶转移到硅片上。在刻蚀过程中，光刻胶起防腐蚀的保护作用。
1、负性光刻胶
主要有聚酸系(聚酮胶)和环化橡胶系两大类，前者以柯达公司的kpr为代表，后者以omr系列为代表。
2、正性光刻胶
主要以-醒为感光化台物，以酚醛树脂为基本材料。的有az-1350系列。正胶的主要优点是分辨率高，缺点是灵敏度、耐刻蚀性和附着性等较差。
3、负性电子束光刻胶
为含有环-、-或环-物的聚合物。 的是cop胶，典型特性:灵敏度0.3~0.4μc/cm^2 (加速电压10kv时)、分辨率1.0um、 对比度0.95。-分辨率
的主要因素是光刻胶在显影时的溶胀。
4、正性电子束光刻胶
主要为-、烯砜和-类这三种聚合物。的是pmma胶，典型特性:灵敏度40~ 80μc/cm^2 (加速电压20kv时)、分辨率0.1μm、 对比度2~3。
pmma胶的主要优点是分辨率高。主要缺点是灵敏度低，nr7 6000py光刻胶公司，此外在高温下易流动，耐干法刻蚀性差。
光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种具有光化学敏感性的功能性化学材料，nr7 6000py光刻胶多少钱，由光引发剂、光刻胶树脂、单体（活性稀释剂）、溶剂和其他助剂组成的对光敏感的混合液体，其中，树脂约占50%，单体约占35%。
它被称为是电子化工材料中技术壁垒较高的材料之一，主要利用光化学反应将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上，nr7 6000py光刻胶，被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作，下游主要用于集成电路、面板和分立器件的微细加工，同时在 led、光伏、磁头及精密传感器等制作过程中也有广泛应用。
按照下游应用，光刻胶可分为半导体用光刻胶、lcd用光刻胶、pcb（印刷线路板）用光刻胶等，其技术壁垒依次降低。
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