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nr74g 3000py光刻胶-北京赛米莱德

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    2022-6-15

况经理
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  • 主营产品|金属光刻胶,彩色光刻胶价格,透明光刻胶报价
  • 单位地址| 北京市北京经济技术开发区博兴九路2号院5号楼2层208
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光刻工艺重要性二

光刻胶的-波长由宽谱紫外向g线***i线***krf***arf***euv(13.5nm)的方向移动。随着-波长的缩短,光刻胶所能达到的-分辨率不断提高,光刻得到的线路图案精密度-,nr74g 3000py光刻胶,而对应的光刻胶的价格也更高。

光刻光路的设计,有利于进一步提升数值孔径,随着技术的发展,数值孔径由0.35发展到大于1。相关技术的发展也对光刻胶及其配套产品的性能要求变得-严格。

工艺系数从0.8变到0.4,其数值与光刻胶的产品有关。结合双掩膜和双刻蚀等技术,现有光刻技术使得我们能够用193nm的激光完成10nm工艺的光刻。

为了实现7nm、5nm制程,传统光刻技术遇到瓶颈,euv(13.5nm)光刻技术呼之欲出,nr74g 3000py光刻胶厂家,台积电、三星也在相关领域进行布局。euv光刻光路基于反射设计,不同于上一代的折射,其所需光刻胶主要以无机光刻胶为主,如金属氧化物光刻胶。


负性光刻胶
负性光刻胶

负性光刻胶分为粘性增强负性光刻胶、加工负性光刻胶、剥离处理用负性光刻胶三种。

a、粘性增强负性光刻胶

粘性增强负胶的应用是在设计制造中替代基于聚异戊二烯双-的负胶。粘性增强负胶的特性是在湿刻和电镀应用时的粘附力;很容易用光胶剥离器去除,厚度范围是﹤0.1 ~ 120.0 μm,nr74g 3000py光刻胶,可在i、g以及h-line波长-。

粘性增强负胶对生产量的影响,消除了基于溶液的显影和基于溶液冲洗过程的步骤。优于传统正胶的优势:控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100 μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到-的分辨率、150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的-度进而增强-通量、更快的显影,100 μm的光胶显影仅需6 ~ 8分钟、光胶-时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、不必使用粘度增强剂。

i线-用粘度增强负胶系列:np9–250p、np9–1000p、np9–1500p、np9–3000p、np9–6000p、np9–8000、np9–8000p、np9–20000p。

g和h线-用粘度增强负胶系列:np9g–250p、np9g–1000p、np9g–1500p、np9g–3000p、np9g–6000p、np9g–8000。

 b、加工负胶

    加工负胶的应用是替代用于rie加工及离子植入的正胶。加工负胶的特性在rie加工时优异的选择性以及在离子植入时优异的温度阻抗,厚度范围是﹤0.1 ~ 120.0 μm,可在i、g以及h-line波长-。

    加工负胶优于正胶的优势是控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100 μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到-的分辨率、150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的-度进而增强-通量、更快的显影,100 μm的光胶显影仅需6 ~ 8分钟、光胶-时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、优异的温度阻抗直至180 ℃、在反应离子束刻蚀或离子减薄时非常容易地增加能量密度,从而提高刻蚀速度和刻蚀通量、非常容易进行高能量离子减薄、不必使用粘度促进剂。

用于i线-的加工负胶系列:nr71-250p、nr71-350p、nr71-1000p、nr71-1500p、nr71-3000p、nr71-6000p、nr5-8000。


光刻胶编码

hs编码:


3707100001 [类注] | [章注] | [子目注释]

中文描述:不含银的感光乳液剂 (ciq码:301:液体)
英文描述:non--0--silver light-sensitive emulsion agent
申报要素:0.品牌类型;1.出口享惠情况;2.用途;3.包装;4.成分;5.是否含银;6.品牌;7.型号;8.是否有感光作用(以下要素仅上海海关要求)9.gtin;10.cas
申报要素举例:/ 1.感光剂;2.用途:感光材料,用于喷墨制版机;3.包装:瓶装;4.成分:-树脂94%以上;5.无品牌;6.无型号
单位:千克

nr74g 3000py光刻胶-北京赛米莱德由 北京赛米莱德贸易有限公司提供。 北京赛米莱德贸易有限公司在半导体材料这一领域倾注了诸多的热忱和热情,赛米莱德一直以客户为中心、为客户创造价值的理念、以品质、服务来赢得市场,衷心希望能与社会各界合作,共创成功,共创。相关业务欢迎垂询,联系人:苏经理。


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