光刻工艺重要性二
光刻胶的-波长由宽谱紫外向g线***i线***krf***arf***euv(13.5nm)的方向移动。随着-波长的缩短,光刻胶所能达到的-分辨率不断提高,光刻得到的线路图案精密度-,nr74g 3000py光刻胶,而对应的光刻胶的价格也更高。
光刻光路的设计,有利于进一步提升数值孔径,随着技术的发展,数值孔径由0.35发展到大于1。相关技术的发展也对光刻胶及其配套产品的性能要求变得-严格。
工艺系数从0.8变到0.4,其数值与光刻胶的产品有关。结合双掩膜和双刻蚀等技术,现有光刻技术使得我们能够用193nm的激光完成10nm工艺的光刻。
为了实现7nm、5nm制程,传统光刻技术遇到瓶颈,euv(13.5nm)光刻技术呼之欲出,nr74g 3000py光刻胶厂家,台积电、三星也在相关领域进行布局。euv光刻光路基于反射设计,不同于上一代的折射,其所需光刻胶主要以无机光刻胶为主,如金属氧化物光刻胶。
负性光刻胶分为粘性增强负性光刻胶、加工负性光刻胶、剥离处理用负性光刻胶三种。
a、粘性增强负性光刻胶
粘性增强负胶的应用是在设计制造中替代基于聚异戊二烯双-的负胶。粘性增强负胶的特性是在湿刻和电镀应用时的粘附力;很容易用光胶剥离器去除,厚度范围是﹤0.1 ~ 120.0 μm,nr74g 3000py光刻胶,可在i、g以及h-line波长-。
粘性增强负胶对生产量的影响,消除了基于溶液的显影和基于溶液冲洗过程的步骤。优于传统正胶的优势:控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100 μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到-的分辨率、150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的-度进而增强-通量、更快的显影,100 μm的光胶显影仅需6 ~ 8分钟、光胶-时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、不必使用粘度增强剂。
i线-用粘度增强负胶系列:np9–250p、np9–1000p、np9–1500p、np9–3000p、np9–6000p、np9–8000、np9–8000p、np9–20000p。
g和h线-用粘度增强负胶系列:np9g–250p、np9g–1000p、np9g–1500p、np9g–3000p、np9g–6000p、np9g–8000。
b、加工负胶
加工负胶的应用是替代用于rie加工及离子植入的正胶。加工负胶的特性在rie加工时优异的选择性以及在离子植入时优异的温度阻抗,厚度范围是﹤0.1 ~ 120.0 μm,可在i、g以及h-line波长-。
加工负胶优于正胶的优势是控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100 μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到-的分辨率、150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的-度进而增强-通量、更快的显影,100 μm的光胶显影仅需6 ~ 8分钟、光胶-时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、优异的温度阻抗直至180 ℃、在反应离子束刻蚀或离子减薄时非常容易地增加能量密度,从而提高刻蚀速度和刻蚀通量、非常容易进行高能量离子减薄、不必使用粘度促进剂。
用于i线-的加工负胶系列:nr71-250p、nr71-350p、nr71-1000p、nr71-1500p、nr71-3000p、nr71-6000p、nr5-8000。
光刻胶编码 hs编码: | 3707100001 [类注] | [章注] | [子目注释] |
中文描述: | 不含银的感光乳液剂 (ciq码:301:液体) |
英文描述: | non--0--silver light-sensitive emulsion agent |
申报要素: | 0.品牌类型;1.出口享惠情况;2.用途;3.包装;4.成分;5.是否含银;6.品牌;7.型号;8.是否有感光作用(以下要素仅上海海关要求)9.gtin;10.cas |
申报要素举例: | / 1.感光剂;2.用途:感光材料,用于喷墨制版机;3.包装:瓶装;4.成分:-树脂94%以上;5.无品牌;6.无型号 |
单位: | 千克 |
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