光刻胶由光引发剂、树脂、溶剂等基础组分组成,rd6光刻胶厂家,又被称为光致抗蚀剂,这是一种对光非常敏感的化合物。此外,光刻胶中还会添加光增感剂、光致产酸剂等成分来达到提高光引发效率、优化线路图形精密度的目的。在受到紫外光-后,它在显影液中的溶解度会发生变化。
分类
根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类。
正胶
-前对显影液不可溶,rd6光刻胶哪里有,而-后变成了可溶的,能得到与掩模板遮光区相同的图形。
优点:分辨率高、对比度好。
缺点:粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本。
灵敏度:-区域光刻胶完全溶解时所需的能量
负胶egative
与正胶反之。
优点: -的粘附能力和抗刻蚀能力、感-度快。
缺点: 显影时发生变形和膨胀,导致其分辨率。
灵敏度:保留-区域光刻胶原始厚度的50%所需的能量。
下面我们来详细介绍一下光刻的工序:
一、清洗硅片(wafer clean)
清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷,提高光刻胶黏附性
基本步骤:化学清洗——漂洗——烘干。
自1970年美国rca实验室提出的浸泡式rca化学清洗工艺得到了广泛应用,1978年rca实验室又推出兆声清洗工艺,近几年来以rca清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来,例如:美国fsi公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原cfm公司推出的full-flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国verteq公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术(例goldfinger mach2清洗系统)、美国ssec公司的双面檫洗技术(例m3304 dss清洗系统)、 日本提出无药液的电介离子水清洗技术(用电介超纯离子水清洗)使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以hf / o3为基础的硅片化学清洗技术。
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