1、分辨率:区别硅片表-邻图形特性的能力，一般用关键尺寸来衡量 分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。
2、对比度:指光刻胶从-区到非-区过渡的陡度。对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。
3、敏感度:光刻胶上产生一 个-的图形所需一 定波长的小能量值(或小-量)。单位:焦/平方厘米或mj/cm2.光刻胶
的敏感性对于波长更短的深紫外光(duv)、极深紫外光(euv)等尤为重要。
4、粘滞性/黏度:衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加;高的粘滞性会产生厚的光刻胶;越小的
粘滞性，就有越均匀的光刻胶厚度。
5、粘附性:表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。
6、抗蚀性:光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀i序中保护衬底表面。
7、表面张力:液体-表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力，使光刻胶具有-的流动性
8、存储和传送:能量可以启动光刻胶。应该存储在密闭、低温、不透光的盒中。 同时必须规定光刻胶的闲置期限和存贮温度环境。
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光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。
光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过-后，受到光照的部分变得容易溶解，经过显-被溶解，只留下未受光照的部分形成图形；而负胶却恰恰相反，经过-后，nr74g 3000py光刻胶哪里有，受到光照的部分会变得不易溶解，经过显-，留下光照部分形成图形。
负胶在光刻工艺上应用早，其工艺成本低、产量高，但由于它吸收显影液后会膨胀，导致其分辨率（即光刻工艺中所能形成图形）不如正胶，nr74g 3000py光刻胶厂家，因此对于亚微米甚至更小尺寸的加工技术，nr74g 3000py光刻胶，主要使用正胶作为光刻胶。
光刻是将图形由掩膜版上转移到硅片上，为后续的刻蚀步骤作准备。在光刻过程中，需在硅片上涂一层光刻胶，经紫外线-后，光刻胶的化学性质发生变化，在通过显-，被-的光刻胶将被去除，nr74g 3000py光刻胶报价，从而实现将电路图形由掩膜版转移到光刻胶上。再经过刻蚀过程，实现电路图形由光刻胶转移到硅片上。在刻蚀过程中，光刻胶起防腐蚀的保护作用。
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