光刻是将图形由掩膜版上转移到硅片上,为后续的刻蚀步骤作准备。在光刻过程中,需在硅片上涂一层光刻胶,经紫外线-后,光刻胶的化学性质发生变化,在通过显-,被-的光刻胶将被去除,nr7 6000p光刻胶厂家,从而实现将电路图形由掩膜版转移到光刻胶上。再经过刻蚀过程,实现电路图形由光刻胶转移到硅片上。在刻蚀过程中,光刻胶起防腐蚀的保护作用。
光刻胶又称光致抗蚀剂,是一种具有光化学敏感性的功能性化学材料,由光引发剂、光刻胶树脂、单体(活性稀释剂)、溶剂和其他助剂组成的对光敏感的混合液体,其中,nr7 6000p光刻胶多少钱,树脂约占50%,单体约占35%。
它被称为是电子化工材料中技术壁垒较高的材料之一,主要利用光化学反应将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上,被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作,下游主要用于集成电路、面板和分立器件的微细加工,同时在 led、光伏、磁头及精密传感器等制作过程中也有广泛应用。
按照下游应用,光刻胶可分为半导体用光刻胶、lcd用光刻胶、pcb(印刷线路板)用光刻胶等,其技术壁垒依次降低。
利用这种性能,将光刻胶作涂层,就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构,光刻胶可以分为三种类型。
光聚合型采用烯类单体,在光作用下生成自由基,自由基再进一步引发单体聚合,后生成聚合物,具有形成正像的特点。光分解型采用含有-醌类化合物的材料,经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性,可以制成正性胶。光交联型采用-月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开,并使链与链之间发生交联,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品kpr胶即属此类。
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