光刻胶经过几十年不断的发展和进步,nr9 3000p光刻胶,应用领域不断扩大,衍生出非常多的种类,按照应用领域,光刻胶可以划分为印刷电路板(pcb)用光刻胶、液晶显示(lcd)用光刻胶、半导体用光刻胶和其他用途光刻胶。其中,pcb 光刻胶技术壁垒相对其他两类较低,而半导体光刻胶代表着光刻胶技术水平。
(1)半导体用光刻胶
在半导体用光刻胶领域,光刻技术经历了紫外全谱(300~450nm)、g 线(436nm)、i 线 (365nm)、深紫外(duv,包括 248nm 和 193nm)和极紫外(euv)六个阶段。相对应于各-波长的光刻胶也应运而生,nr9 3000p光刻胶厂家,光刻胶中的关键配方成份,如成膜树脂、光引发剂、添加剂也随之发生变化,使光刻胶的综合性能-地满足工艺要求。
(2)lcd光刻胶
在lcd 面板制造领域,光刻胶也是极其关键的材料。根据使用对象的不同,可分为 rgb 胶(彩色胶)、bm胶(黑色胶)、oc 胶、ps 胶、tft 胶等。
光刻工艺包含表面准备、涂覆光刻胶、前烘、对准-、显影、坚膜、显影检查、刻蚀、剥离、终检查等步骤,以实现图形的转移,制造特定的微结构。
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分辨率
分辨率英文名:resolution。区别硅片表-邻图形特征的能力,一般用关键尺寸(cd,critical dimension)来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好。
对比度
对比度(contrast)指光刻胶从-区到非-区过渡的陡度。对比度越好,形成图形的侧壁越陡峭,分辨率越好。
敏感度
敏感度(sensitivity)光刻胶上产生一个-的图形所需一定波长光的能量值(或-量)。单位:毫焦/平方厘米或mj/cm2。光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光(duv)、极深紫外光(euv)等尤为重要。
粘滞性黏度
粘滞性/黏度(viscosity)是衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加;高的粘滞性会产生厚的光刻胶;越小的粘滞性,就有越均匀的光刻胶厚度。光刻胶的比重(sg,specific gravity)是衡量光刻胶的密度的指标。它与光刻胶中的固体含量有关。较大的比重意味着光刻胶中含有更多的固体,粘滞性更高、流动性更差。粘度的单位:泊(poise),光刻胶一般用厘泊(cps,厘泊为1%泊)来度量。百分泊即厘泊为粘滞率;运动粘滞率定义为:运动粘滞率=粘滞率/比重。 单位:百分斯托克斯(cs)=cps/sg。
粘附性
粘附性(adherence)表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。光刻胶的粘附性必须经受住后续工艺(刻蚀、离子注入等)。
抗蚀性
抗蚀性(anti-etching)光刻胶必须保持它的粘附性,在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。
表面张力
液体-表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力(surface tension),使光刻胶具有-的流动性和覆盖。
光刻开始于-种称作光刻胶的感光性液体的应用。 图形能被映射到光刻胶上,然后用一个developer就能做出需 要的模板图案。光刻胶又称光致抗蚀剂,是以智能
管感光材料,在光的照射与溶解度发生变化。
光刻胶成份
光刻胶通常有三种成分:感光化台物、基体材料和溶剂。在感光化台物中有时还包括增感剂。根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类:负性光刻胶和
正性光刻胶。
1、负性光刻胶
主要有聚酸系(聚酯胶)和环化橡胶系两大类
2、正性光刻胶
主要以-醒为感光化台物,以酚醛树脂为基体材料。正胶的主要优点是分辨率高,缺点是灵敏度、耐刻蚀性和附着性等较差。
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