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清洗-晶淼半导体-晶片清洗机

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    2022-9-3

王经理
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清洗液的物理化学性质对清洗效果的影响

清洗液的静压力大时,不容易产生空化,所以在密闭加压容器中进行超声清洗或处理时效果较差

清洗剂的选择要从两个方面来考虑:一方面要从污物的性质来选择化学作用效果好的清洗剂;另一方面要选择表面张力、蒸气压及粘度合适的清洗剂,因为这些特性与超声空化强弱有关。液体的表面张力大则不容易产生空化,硅片清洗机价格,但是当声强超过空化阈值时,空化泡崩溃释放的能量也大,有利于清洗;高蒸气压的液体会降低空化强度,而液体的粘滞度大也不容易产生空化,因此蒸气压高和粘度大的洁洗剂都不利于超声清洗。

此外,清洗液的温度和静压力都对清洗效果有影响,清洗液温度升高时空化核增加,对空化的产生有利,但是温度过高,气泡中的蒸气压增大,空化强度会降低,所以温度的选择要同时考虑对空化强度的影响,也耍考虑清洗液的化学清洗作用每一种液体都有一空化活跃的温度,水较适宜的温度是60-80℃,此时空化活跃。




目前在 半导体清洗机湿式清洗制程中,主要应用项目包含晶圆清洗与湿式蚀刻两项,晶圆 (湿式) 清洗制程主要是希望藉由化学-与清洗设备,清除来自周遭环境所附着在晶圆表面的脏污,以达到半导体组件电气特性的要求与-度。至于脏污的来源,不外乎设备本身材料产生、现场作业员或制程-人体自身与动作的影响、化学材料或制程药剂残留或不纯度的发生,以及制程反应产生物的结果,boe清洗,尤其是制程反应产生物一项,更成为制程污染主要来源,因此如何-制程中所产生污染,便成为清洗制程中研究主要的课题。

过去 rca 多槽湿式清洗一直是晶圆清洗的主要技术,不过随着近年来制程与清洗设备的演进,不但在清洗制程中不断产生新的技术,也随着半导体后段封装技术的演进,清洗设备也逐渐进入封装厂的生产线中。以下本文即针对清洗设备与技术作一深入介绍,并分析清洗设备发展的关键机会及未来的发展趋势。


无机类异物清洗主要用水冲洗,但是水往往是以不同压力及形式冲洗在玻璃基板的表面。 hpmj—high pressure micro jet, 高压微粒喷射清洗技术,通过对水增压,在喷嘴处以高压水微粒形式,喷射在玻璃基板表面,清洗,达到去除表面大颗粒异物的目的。有些制程特性的需求,也可以和-一起混合加入,形成-水,晶片清洗机,即碳酸,让水可以导电,达到可以去除静电的目的。 aajet—aqua air jet,水气二流体清洗技术。这种技术是把水和空气在一定的压力下,按照一定的比例从喷嘴中喷出。其中喷嘴的形式,有单个喷出扇形模式,也要直接采用slit nozzle模式,即喷出为水幕。第二种喷出形式在玻璃基板表面形成的压力较为均匀,不会对产品产生-。roller brush- 旋转毛刷清洗技术,利用高速旋转的毛刷并增加适当的压入量,达到清洁玻璃表面异物的目的。




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