微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，mems光刻，主要-半导体产业发展的应用技术研究，-重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
光刻其实就是一个图形化转印的过程。
光聚合型光刻胶采用烯类单体，在光作用下生成自由基，进一步引发单体聚合，较后生成聚合物；光分解型光刻胶，采用含有-醌类化合物(dqn)材料作为感光剂，其经光照后，发生光分解反应，可以制成正性光刻胶；光交联型光刻胶采用-月桂酸酯等作为光敏材料，在光的作用下，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，可以制成负性光刻胶。
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接触式光刻机，紫外光刻，-时，光刻版压在涂有光刻胶的衬底上，优点是设备简单，分辨率高，没有衍射效应，缺点是光刻版与涂有光刻胶的晶圆片直接接触，每次接触都会在晶圆片和光刻版上产生缺陷，西藏自治光刻，降低光刻版使用寿命，接触式光刻，成品率低。
光刻胶是光刻工艺的材料：光刻胶又称光致抗蚀剂，它是指由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分构成的对光敏感的混合液体。
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接触式-和非接触式-的区别，在于-时掩模与晶片间相对关系是贴紧还是分开。
正胶-前，光刻胶不溶于显影液，-后，-区溶于显影液，图形与掩膜版图形相同；而负性光刻胶，-前光刻胶可溶于显影液，-后，被-区不溶于显影液，图形与掩膜版图形相同。
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